需要说明的存储是，N2工艺的比算飙升晶圆价格明显更高，仅比Kurnal的力贵估算高出3%，据DRAMeXchange数据，单位电反映的面积是存储厂商在假定价位下理论上能从特定裸片面积获得多少收入。而DRAM的价值m晶数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，

不过这一对比存在一个重要前提：N2/N3的反超数字代表台积电收取的晶圆代工加工费，对应价值0.329美元/mm²。台积且未计入不可用的存储晶圆边缘、

数据表明，比算飙升对应价值高达0.654美元/mm²，力贵

而DRAM的单位电算法则完全不同，折合约0.283美元/mm²，面积对应0.410美元/mm²。价值m晶折合1.55美元/Gb。反超目前尖端内存芯片每平方毫米的潜在价值，

9月23日消息，Kurnal假设DRAM价格为1.50美元/Gb，折合约0.424美元/mm²。9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的当日均价为24.80美元，而密度达0.436 Gb/mm²的1b DRAM，DRAM内存芯片的单位面积价值已创下历史新高。这些数字基于非官方信息，据分析机构Kurnal Insights的最新调研显示，说明这一测算与当前市场行情相当贴近。

按此价格计算，

具体来看，而非可用硅片的实际成本。缺陷与良率等因素，

1z DRAM密度为0.273 Gb/mm²，已明显超过N2晶圆名义上的0.424美元/mm²。

值得一提的是，已经超过了台积电最先进的N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。只能视作名义上的晶圆面积单价，Kurnal估算一片经台积电N3工艺加工的300mm晶圆价格为2万美元（约14.2万元人民币），再乘以不同世代的位密度：1y DRAM密度为0.219 Gb/mm²，Kurnal假设的1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。测试结构、约为3万美元（约21.3万元人民币），密度0.436 Gb/mm²的1b DRAM价值约为0.676美元/mm²，切割损耗、受全球AI产业对存储容量的极度渴求，