国产内存第一扩版图！长鑫存储要进军NAND闪存：长江存储有伴了

时间：2026-09-27 06:27:27 来源：遵义彭鑫工程有限公司作者：新闻中心阅读：520次

9月18日消息，国产据报道，内存国产DRAM芯片制造商长鑫存储正准备进入NAND闪存市场，第扩计划在北京新工厂建设一条NAND闪存研发生产线，版图并已设立研究院开展NAND开发项目。长鑫存储长江存储

报道称，进军长鑫存储已与客户就NAND闪存计划展开沟通，闪存其中一家新成立的有伴初创公司计划采购长鑫的NAND芯片，用于AI系统和超级计算机的国产存储产品，但并未透露该客户名称。内存

目前研发生产线何时开始运营尚不清楚，第扩长鑫是版图否从研发试产阶段转向大规模商业化制造也未有定论。

长鑫存储作为国内DRAM领域的长鑫存储长江存储龙头，目前在合肥和北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，进军产能规模居中国第一、闪存全球第四。

此次跨界进入NAND闪存，意味着长鑫将从DRAM赛道向存储全品类扩展，目前全球NAND闪存市场由三星主导，据TrendForce数据，2026年第二季度三星以29.3%的市场份额位居第一，SK海力士排名第二，美光位列第三。

在NAND领域，国内已有长江存储，凭借自研Xtacking架构在3D NAND方向实现突破，2026年一季度营收同比增长100%，全球市场份额约12%。

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